Полупроводники на графене — путь к более эффективной и миниатюрной электронике

Сотрудники NTNU — Норвежского университета науки и технологий — запатентовали и готовят к коммерческому внедрению технологию выращивания нанопроводов из арсенида галлия, выращиваемых на графене. Ожидается, что такие гибридные материалы составят основу новых типов потребительских устройств и коренным образом изменят современную полупроводниковую индустрию. О своей работе ученые недавно рассказали в американском научном журнале Nano Letters.

Новые патентованные материалы с графеновой подложкой имеют отличные оптоэлектронные свойства, сочетают в себе низкую стоимость, прозрачность и гибкость. Они получены методом молекулярной лучевой эпитаксии (Molecular Beam Epitaxy), что позволяет использовать оборудование, уже имеющееся у таких компаний, как IBM или Samsung.

Профессор NTNU, а также технический директор и сооснователь фирмы CrayoNano AS, предназначенной для коммерциализации данного проекта, Хельге Веман (Helge Weman) подчеркивает, что речь идет не о продукте, но о новом производственном методе для полупроводников.

В первую очередь он будет применен для совершенствования светодиодов и солнечных батарей. Более отдаленные перспективы, по мнению Вемана, связаны с продвинутыми трехмерными интегрированными схемами, построенными на графене и полупроводниковых нанопроводах, энергонезависимыми наномашинами и гибкими сенсорными экранами для планшетов и телефонов.